
GT50N322A Транзистор IGBT N-канал
- Под заказ
Отправка с 19 июня 202618 руб.
+375 (29) 161-13-79
по БЕЗНАЛУ не работаювозврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Информация для заказа
Наименование: GT50N322A Toshiba
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: 50N322A
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 156
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1000
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 230
Тип корпуса: 2-16C1C, TO-247AC
Аналоги IRG4PCS71KD
- Цена: 18 руб.
